SIC(탄화규소) 소재는 강한 공유결합 물질로 다른 세라믹 재료에 비하여
열전도율과 경도가 높고, 내플라즈마성, 내산화성, 내마모성, 내부식성,
고온안전성 및 열충격 저항성이 우수한 소재
반도체공정의 고집적도, 선폭 미세화, 수직화에 따른 고출력 플라즈마가 필요하나
기존 SI 소재의 수명문제로 CVD-SIC 소재로 변경되고 있음(침투율 20% 수준)
DISADVANTAGE
Si 소재는 내플라즈마 특성이 약해 Life Time이 짧고, 향후 고출력의
RF(Radio Frequency) Power를 사용해야 하는 환경에서 사용이 제한됨
ADVANTAGES
소모품 수명 연장에 따른 수율향상 및 비용절감.
기존 Si Ring보다 식각 정도 비교 시 내플라즈마 특성이 10배 이상 우수
수명 1.5배 향상
6N(99.9999%) 이상 고순도
반도체공정 시 불순물이 발생하지 않음
고순도 SIC-BULK 제품 생산
Sic Ring
Dummy Wafer
Shower Head
